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标准号GB/T 40291-2021

别名GBT40291-2021GB40291-2021

发布2021年

ICS

27.120

总页数28页

采用标准

IEC 61435:2013

IDT

发布单位国家市场监督管理总局

当前最新

GB/T 40291-2021

引用标准

GB/T 11685-2003

GB/T 2900.66-2004

GB/T 2900.97-2016

GB/T 7167-2008

本文件描述了测量高纯锗晶体基本特征的术语和试验方法。包括电活性杂质净浓度(NA-ND)、深能级杂质中心浓度和晶体学特性。

本文件适用于γ射线和X射线辐射探测器用高纯锗晶体。此锗单晶的电活性杂质中心的净浓度小于1011cm-3,通常是1010cm-3量级。

本文件中所列测试方法并非法定方法,但在工业中得到了广泛的应用,并为探测器制造商提供了可验证的信息,满足了...

术语 半导体

Semiconductor高纯半导体探测器

High Purity Semiconductor Detector